BF 776 H6327

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编号：

726-BF776H6327

制造商编号：

BF 776 H6327

制造商：

Infineon Technologies

客户编号:

说明：

射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

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卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

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产品合规性

CNHTS: 8541290000 USHTS: 8541210075 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99

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英飞凌射频晶体管

英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅（AM） 。

高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术，实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。

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